Აღწერა ：
Კვარცის რეზონატორი 3225SMD-4pin
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Გაზომვები: Მმ
Მასალების სია:
| Არა | Კომპონენტები | Მასალები | Qty | Დასრულება/სპეციფიკაცია |
| 1 | Კაპი(დამაგვარება) | Მეტალი(Fe) | 1 | - |
| 2 | Ბაზის(პაკეტი) | Კერამიკა(Al2O3) | 1 | Ალუმინიუმის კერამიკა |
| 3 | PAD(პაკეტი) | Au | 4 |
Ტუნგსტენის მეტალიზაცია +Ni დაფინირება +Au დაფინირება |
| 4 | Კრისტალური ბლანკი | SiO2 | 1 | - |
| 5 | Ელექტრონული ჩამოჭრის ღვინის მსგავსი | AG | 4 | Სილიკონური რეზინი |
| 6 | Ელექტროდი | Ag+Cr | 2 | - |
| 1 | Ნომინალური სხვაობა | 13.1072MHZ |
| 2 | Ვიბრაციის რეჟიმი | AT Fundamental |
| 3 | Ტვირთის კაპაციტეტი | 10.0pF |
| 4 | Ხანგრძლივობის ტოლერანცია | ±10ppm(25±5℃) |
| 5 | Ხანგრძლივობის ტემპერატურული 특성ი | ±20ppm(-20℃ და +70℃ ) |
| 6 | Ექვივალენტური წყვილის რეზისტანსი | 50 Ω მაქსიმუმ |
| 7 | Შუნტის კაპაციტეტი | 5.0პF მაქსიმუმ |
| 8 | იზოლაციის რეზისტანსი | 500M Ω მინიმუმ/100±15VDC |
| 9 | Დრაივის დონე | 10μW |
| 10 | Დაბერება | ±3ppm/წელი |
| 11 | Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი | -55℃ დან +125℃ |
| 12 | Ტესტირების იმპედანსის მეტრი | S&A 250B |
| 13 | Მარკირება | 13.1072MHZ |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
EN
